این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(tmah) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول tmah با غلظت­های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oc 70، oc 80 و oc90 انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت tmah در غلظت­های بیشتر از 10% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با ...

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت­های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت­های بیشتر از 10% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با...

بخاطر اهمیتهای تکنیکی و علائق بنیادی، تاشهای فراوانی برای فهم مکانیزم رشد لایه های نازک و چگونگی دینامیک ناهمواری سطوح رشد کننده در تنیکهای مختلف صورت گرفته است. در این پایان نامه لایه های نازک پنتا اکسید وانادیم بر روی زیر لایه سیلیکن (100) به روش تبخیر حرارتی رشد داده شد. ناهمواری سطوح بوسیله میکوسکپ نیرو اتمی ‏‎(afm)‎‏ مشخص شد. نماهای زبری و دینامیک لایه ها، با محاسبه تابه همبستگی ارتفاع - ا...

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان اتصال اهمی بر روی زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون به روش الکتروشیمیایی (آبکاری الکتریکی) لایه �نشانی و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. به منظور ایجاد ساختار مورد نظر، نیکل به دو روش آبکاری غیرالکتریکی و الکتریکی بر روی زیرلایه�های n+-Si� لایه نشانی شده و پس از گرمادهی (جهت بهبود خواص کریستالی)، لایه�ای از مس به روش آبکاری الکتریکی به منظور کاهش مقاومت سطحی و ...

در این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل به کار رفته رشد، رونشست بالستیک (bd) می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای نسبت به عمود بر سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی خود سایه اندازی و محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث می شود که ساختارهای حاصل از این روش به صورت ستون های مجزا با اشکال مختلف، که با فضاهای خالی از هم جدا شد...

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان تماس اهمی برروی بس بلور سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی و بااستفاده از دستگاه ماوراء صوت لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. نیکل بااستفاده از حمام وات برروی زیرلایة n+-Si در زمان های 10، 20 و 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و تماس لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی برروی لایة نیکل انجام شده است. آنالیزهای XRD، SEM و EDX برای ب...

در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسبات مغناطومقاومت مشخص شد که با کاهش ضخامت لایه-های بس لایه ای، مغناطومقاومت بزرگ به مغناطومقاومت ناهمسانگرد تبدیل می ش...

هدف از انجام این پژوهش، بررسی اثر درصد اختلاط و زمان پرس بر کیفیت سطح تخته خرده چوب مطبق ساخته شده از خرده چوب صنعتی و گونه پالونیا (paulownia fortunie) (در سطوح) می باشد. برای این منظور از اختلاط خرده چوب پالونیا در لایه های بیرونی و خرده چوب صنعتی در لایه میانی با رزین اوره فرمالدهید استفاده شد، به گونه ای که در لایه های بیرونی تخته از 12 درصد و در لایه میانی از 8 درصد رزین استفاده گردید. عوا...

سیلیکون اثرهای مفیدی بر رشد، عملکرد و بهبود تحمل برخی گیاهان در برابر تنش های زیستی و غیرزیستی دارد. به منظور مطالعه تأثیر غلظت های مختلف سیلیکون بر گیاه گاوزبان ایرانی (echium amoenum fisch & c.a. mey.) سه سطح سیلیکون (صفر، 2/0 و 7/0 میلی مولار از منبع نمک سیلیکات سدیم( و دو سطح شوری (صفر و 100 میلی مولار از کلرید سدیم( و دو دوره تیمار سیلیکون بلند مدت (30 روز) و کوتاه مدت (15 روز) در نظر گرفت...

روی از عناصر کم مصرف مورد نیاز گیاهان است که کمبود آن در ایران شایع است. نقش سیلیکون در تخفیف کمبود و سمیت برخی عناصر معدنی در گیاهان گزارش شده است. به منظور بررسی تاثیر سیلیکون در تخفیف کمبود روی در گیاه برنج آزمایشاتی در اتاقک کشت و فضای آزاد به اجرا درآمد. گیاهان در محیط کشت هیدروپونیک با دو سطح روی شامل 1 و 10 میکروگرم در لیتر (شاهد) و دو سطح سیلیکون شامل صفر و 5/1 میلی مولار کاشته شدند. ن...